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美国哈佛大学教授Evelyn L. Hu等访问苏州纳米所

美国哈佛大学教授Evelyn L. Hu等访问苏州纳米所

  5月8日上午,美国哈佛大学教授Evelyn L. Hu和香港科技大学教授Kei May Lau应邀访问中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,并分别作了题为Ultra-low threshold GaN photonic crystal nanobeam laserMetamorphic Growth of III-V Devices on Silicon toward Electronic-Photonic Monolithic Integration的学术报告。

  GaN基材料在发光器件运用方面由于它超凡的光学特性,特别是在蓝光和紫外光波段,被人熟知。除此之外,GaN基材料的禁带宽度较大,能够保证器件在室温或者更高温度下能够有效的运转。Evelyn L. Hu作为这一方面的专家,介绍了她所研究的超低阈值 (~10 μJ/cm2) 的GaN光子晶体纳米束激光器的相关工作进展。报告主要围绕纳米束激光器拥有超低阈值的原因进行讨论,重点介绍了腔的作用与材料的选择、以及特殊有源区的设计。Evelyn L. Hu指出,不均匀的量子阱激光器拥有更加低的阈值,因为不均匀的量子阱对光生载流子有更好的限制作用,并且有更大的俘获截面。她同时提出,为获得低阈值的激光器,还面临四个挑战:材料的缺陷,存在穿透位错和应力;量子点和常规材料的生长;优质腔制造技术的缺乏;存在内建电场,使电子和空穴空间分离,器件发光红移。

  Kei May Lau作了Si衬底上变质外延III-V族器件的光电子单片集成电路的报告。在过去的数十年里,如何在成熟的Si平台上集成III-V族器件,成为半导体研究者们的长期追求。报告主要围绕如何在Si上生长高失配度的III-V族器件展开,内容主要包括:在硅上生长III-V族器件的动机和挑战幸运28;用MOCVD方法在Si(001)面上生长InGaAs材料;基于InGaAs的增强型和耗尽型MOSHEMT;在Si上生长InP的缺陷控制方法;在Si(001)面上用两步生长法生长高质量InP缓冲层的方法;在InP缓冲层上生长InAlGaAs/InAlAs多量子阱等方面。

  Evelyn L. Hu在哥伦比亚大学物理学院获得博士学位后,从1975年至1984年,在AT&T贝尔实验室工作。1984-2008年期间,她在加州大学圣塔芭芭拉分校电子与计算机工程系和材料系担任教授,同时也是加州大学圣塔芭芭拉分校和洛杉矶分校纳米系统研究所的联合科技总监。Evelyn L. Hu目前是哈佛大学工程与应用科学学院的应用物理和电子工程教授,曾在2013年获得香港科技大学荣誉工程学博士。她是美国国家科学院、美国国家工程院和美国艺术与科学院、台湾“中研院”院士以及Jason项目的一员,同时也是IEEE、美国物理学会、美国科学促进会会员。Evelyn L. Hu曾获得NSF卓越教学奖和AAAS终身导师奖,并持有格拉斯哥大学的荣誉工程博士学位。

  Kei May Lau在明尼苏达大学物理学院获得了学士学位和硕士学位,并在莱斯大学的电子工程学院获得了博士学位,之后在麻省理工大学阿姆赫斯特分校的电子与计算机工程系任职,主持了MOCVD,化合物半导体材料和设备项目。自2000年秋,任职于香港科技大学电子与计算机工程系,建立了进行III-V材料、大功率高速光电设备研发工作的光电科技中心。Kei May Lau是IEEE会员,1991年获得过美国国家自然基金女性科学家和工程师奖,2008年获得美国国家自然基金高级研究成就奖。

Evelyn L. Hu作报告

Kei May Lau作报告

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